ความ หมายของสัญลักษณ์
A
:
แอมแปร์
Av
:
อัตราการขยายศักดาสัญญาณ
Ai
:
อัตราขยายกระแสสัญญาณ
AC
:
ไฟกระแสสลับ
AF
:
ความถี่เสียง
AM
:
การผสมสัญญาณโดยอาศัยขนาดของสัญญาณ
B
:
เบส แบนวิดธ์ของความถี่
C
:
คอลเลคเตอร์ ความจุทางด้านอิเล็กโตรสแตติก เซนติมิเตอร์
D
:
เดรน ไดโอด การเคลื่อนที่ของพาหะ
dB
:
เดซิเบล
DC
:
กระแสไฟตรง
E
:
แรงทางด้านไฟฟ้า ศักดา แรงดัน
(Si) EP
:
ทรานซิสเตอร์ชนิด (ซิลิคอน) อีพิแทกเซียลพลานาร์
F
:
ฟารัด
FM
:
การผสมสัญญาณโดยอาศัยความถี่ของสัญญาณ
f
:
ความถี่
G
:
ความเหนี่ยวนำ กริด เกท กิกกะ อัตราการขยาย
GND
:
กราวด์
HF
:
ความถี่สูง
hfe
:
อีมิตเตอร์ร่วม (อัตราส่วนการส่ง ผ่านของกระแสทางตรงเมื่อทำการลัดวงจรของสัญญาณที่มีระดับต่ำ)
I
:
กระแส
IC
:
วงจรร่วม
IF
:
ความถี่อ่านปานกลาง
IFT
:
ทรานฟอเมอร์ที่ใช้กับความถี่ย่านปานกลาง
k
:
กิโล
L
:
ความเหนี่ยวนำ ความยาวการแพร่
LSI
:
วงจรร่วมขนาดใหญ่
M
:
ความเหนียวนำแบบมิวชวล เมกา
MOS
:
สารกึ่งตัวนำชนิดที่เป็น "ออกไซค์ของโลหะ" (ชนิดของทรานซิสเตอร์)
m
:
มิลลิ ดัชชนีของการผสมสัญญาณ
N
:
ความหนาแน่น จำนวนรอบของขดลวด
n
:
สารกึ่งตัวนำชนิดนาโน
P
:
กำลัง
P
:
สารกึ่งตัวนำชนิด p, พิโค ความถี่เชิงมุม
Q
:
ประจุทางไฟฟ้า ค่า Q ของขดลวด องค์ประกอบของการขยายสัญญาณ
R
:
ความต้านทาน
r
:
ความต้านทานภายใน
RF
:
ความถี่วิทยุ
RFC
:
โช็คที่ใช้ความถี่สูง
S
:
สวิตช์ ซีเมนส์ เสถียรภาพของสัญญาณ
Si
:
ซิลิคอน
SCR
:
ซิลิคอนคอนโทรล เรคติไฟเออร์
T
:
ทรานซิสเตอร์
t
:
เวลา
Tr
:
ทรานซิสเตอร์
V
:
ศักดา หลอดสูญญากาศ โวลท์
W
:
วัตต์
X
:
รีแอคแทนซ์
Xtal
:
ตัวออสซิลเลทแบบ ชิ้นผลึก
Y
:
แอททิทแทนซ์
Z
:
อิมพีแดนซ์
ตัวอักษรกรีก
a
:
อัตราการส่งผ่านกระแสของเบสร่วม
b
:
อัตราการขยายกระแสของอีมิตเตอร์ร่วม ; ค่าการป้อนกลับ
g
:
ประสิทธิภาพของการขับ ; องค์ประกอบของริบเบิล
h
:
ประสิทธิภาพ
q
:
มุม
l
:
ความยาวคลื่น
m
:
อัตราการขยายสัญญาณของหลอดสูญญากาศ ; ไมโคร ; การ เคลื่อนที่ของพาหะ
p
:
ตัวเลขของค่า p, อัตราส่วนของเส้นรอบวงของวงกลมต่อเส้นผ่าศูนย์กลาง
r
:
ค่าความต้านทาน
s
:
ค่าความนำ
t
:
ค่าเวลาคงที่
W
:
โอห์ม
w
:
ความถี่เชิงมุม