เครื่องจ่ายไฟฟ้า
บทนำ
ความก้าวหน้าของเทคโนโลยีในการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำ ทำให้เกิดการปรับปรุงข้อกำหนดของอุปกรณ์ ในด้านของความสามารถในการจ่ายกระแส แรงดันไฟฟ้าที่จ่าย ความเร็วในการสวิตช์ ซึ่งการพัฒนาอันนี้ได้นำไปสู่การขยายตัวในด้านต่างๆ เช่น คอมพิวเตอร์, ระบบสื่อสาร ซึ่งต้องการแหล่งจ่ายไฟที่เที่ยงตรง ราคาถูก และมีความน่าเชื่อถือสูง เราจึงเลือก Power Regulator ที่มีการใช้พลังงานอย่างคุ้มค่า และได้แรงดันเอาต์พุตที่เที่ยงตรงเชื่อถือได้
ในวงจรของเครื่องจ่ายไฟฟ้าก็มีจุดเด่นจุดด้อยต่างๆ กัน ผู้ออกแบบเครื่องจ่ายไฟฟ้าจึงจำเป็นต้องศึกษา และหาวิธีการอื่นมาแก้ไขจุดบกพร่อง เพื่อให้ได้เครื่องจ่ายไฟฟ้าที่มีประสิทธิภาพสูง ประหยัดพลังงาน และตรงตามความต้องการ
ในที่นี้จะกล่างถึงการสร้างเครื่องจ่ายไฟฟ้าอย่างง่าย โดยในขั้นแรกจะกล่าวถึงเครื่องใช้ไฟฟ้าที่มีความเที่ยงตรง และปัจจัยที่มีผลกับแรงดันเอาต์พุตของเครื่องจ่ายไฟฟ้า จากนั้นจะแนะนำเรกูเลเตอร์สำเร็จรูปซึ่งเป็นไอซีที่ง่ายต่อการใช้งานและมี ให้เลือกมากมาย เมื่อคุ้นเคยกับเครื่องจ่ายไฟฟ้าแล้วก็จะกล่าวถึงวิธีการออกแบบเครื่องจ่าย ไฟฟ้า โดยยกตัวอย่างของสวิตชิ่งเรกูเลเตอร์ จากพื้นฐานที่ได้ก็จะนำไปสู่การสร้างเครื่องจ่ายไฟกระแสตรงที่ใช้หม้อแปลง ต่อแบบพุชพุลซึ่งจ่ายกำลังได้สูง สามารถเลือกแรงดันเอาต์พุตได้ตามต้องการ และจบที่การสร้างสัญญาณในการควบคุมการสวิตช์
Regulated Power Supplies
Regulated Power supply คือ วงจรอิเล็คทรอนิกส์ที่สร้างแรงดันกระแสตรงคงที่ โดยไม่ขึ้นอยู่กับกระแสที่จ่ายให้กับโหลด, ไม่ขึ้นกับอุณหภูมิ และไม่ขึ้นกับความแปรผันต่างๆในสายส่งกระแสสลับ
เหตุผลที่เราไม่นิยมใช้ Unregulated Power Supply ในหลายๆการประยุกต์คือ
1. ความสามารถในการทำ Regulatation ต่ำ, โดยแรงดันเอาต์พุต จะเปลี่ยนแปลงตามโหลดที่ต่ออยู่
2. แรงดันเอาต์พุตกระแตรงเปลี่ยนแปลงตามแรงดันอินพุต กระแสสลับ
3. แรงดันเอาต์พุตกระแสตรงเปลี่ยนแปลงตามอุณหภูมิ โดยเฉพาะกับวงจรที่ใช้อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ
เราสามารถทำ Regulator อย่างง่ายๆ โดยใช้ Zener Diode แต่ว่าวิธีนี้ จะทำให้เกิดข้อจำกัดอยู่ที่กระแส และกำลังของตัว Zener Diode
รูปที่ 1
ในรูปที่ 1 แสดงตัวอย่างของวงจร Regualted Power Suply ซึ่งเป็นวงจรแบบป้อนกลับ โดยสามารถแก้ไขข้อเสียทั้ง 3 ประการของ Unregulated Power Supply ดังที่กล่าวไว้ข้างบน และข้อจำกัดของ Zener Diode
ทรานซิสเตอร์ Q1 เรียกว่า Pass Transistor หรือ Pass Element ทำหน้าที่เป็น Emitter Follower ให้อัตราขยายประมาณ 1, เพราะ ฉะนั้นจะได้ Vo' = Vo R1,R2 ทำหน้าที่เป็น Feedback Network โดยป้อน Vo กลับไปให้ออปแอมป์ ด้วยอัตราส่วน b = R2 / (R1+R2) จากการคำนวณเราจะได้
Vo' = Av * Vi = Av*(VR - (b*Vo)) = Vo
Vo = VR*Av / (1+b*Av)
ถ้า bAv >> 1 เราจะได้ Vo = VR/b ซึ่งเป็นค่าคงที่สำหรับวงจรหนึ่งๆ โดยเราสามารถปรับค่าของ Vo ได้ด้วยการปรับค่าของ b และมี เงื่อนไขว่า Vo ต้องน้อยกว่า Unregulated Voltage Vdc
Stabilization
เนื่องจากแรงดันเอาต์พุต Vo ขึ้น อยู่กับแรงดันอินพุต Vdc , กระแสโหลด IL และอุณหภูมิ เพราะฉะนั้นการเปลี่ยนแปลงของแรงดันเอาต์พุต จากเครื่องจ่ายไฟ จะมีความสัมพันธ์ดังนี้
เมื่อค่าสัมประสิทธิ์ทั้ง 3 เป็นดังนี้
INPUT REGULATION FACTOR
OUTPUT RESISTANCE
TEMPERATURE COEFFICIENT
ยิ่งค่าของสัมประสิทธิ์ทั้ง 3 น้อยเพียงใด ความสามารถในการรักษาระดับแรงดันเอาต์พุตของเครื่องจ่ายจะไฟมากขึ้นเท่านั้น
Monolithic Regulators
ถ้าเราต้องการต่อวงจรตามรูปที่ 1 เราสามารถหาอุปกรณ์ต่างๆตามท้องตลาดได้ดังนี้ โดยอาจใช้ออปแอมป์ 741 หรือ LM301A เป็น DIFFERENTIAL AMPLIFIER และใช้ LM103, LM199 หรือ ZENER DIODE เป็น REFERENCE DIODE แทน BATTERY VR ด้วยเทคโนโลยีของ MICROELECTRONICS เราสามารถที่จะรวมทุกอย่างให้อยู่ใน IC ตัวเดียวได้ซึ่งจะให้ประสิทธิภาพที่ดีกว่า ในราคาที่ต่ำกว่า และยังมีความน่าเชื่อถือกว่าอีกด้วยซึ่งเราเรียกไอซีที่ทำหน้าที่เป็น เรกูเลเตอร์ว่าเรกูเลเตอร์สำเร็จรูป ( MONOLITHIC REGULATOR)
ตัวอย่างของ MONOLITHIC REGULATOR ซึ่ง อยู่ในรูปของไอซี คือ MOTOROLA MC7800C SERIES ซึ่งมี 3 ขา และให้แรงดันบวกขนาดคงที่ โดยสามารถดูตัวอย่างการใช้งานได้จากรูปที่ 2
รูปที่ 2
ตัวเก็บประจุ Ci ใช้สำหรับกำจัดผล กระทบของการเหนี่ยวนำ ( INDUCTIVE EFFECT ) ที่มีอยู่ในสายส่ง ส่วนตัวเก็บประจุ Co ใช้ปรับปรุงคุณภาพของ Vo ให้ดีขึ้น ( ปรับปรุง TRANSIENT RESPONSE ) ในการใช้งานเราไม่ต้องปรับแต่งอะไรเลย โดยแรงดันเอาต์พุตจะถูกตั้งไว้โดยผู้ผลิตตามมาตรฐานของอุตสาหกรรมมีค่าต่างๆ ได้แก่ 5,6,8,12,15,18,24 V เช่น MC7824C ให้ แรงดันเอาต์พุตขนาด 24 V เรกูเลเตอร์เหล่านี้สามารถจ่ายกระแสได้ขนาด 1 A และยังมีวงจรป้องกันต่างๆ เช่น SHORT CIRCUIT PROTECTION เอาไว้จำกัดกระแสสูงสุดที่วงจรจะรับ , THERMAL SHUTDOWN , OUTPUT-TRANSISTOR SAFT-OPERATING-AREA PROTECTION ฮลฮ
ตัวอย่างของ PARAMETER ของวงจร เหล่านี้ได้แก่
Sv = 3 * 10^-3 Ro = 30 mW St = 1 mV/ ํC
รูปที่ 3
ตัวอย่างวงจรของ MC7800C แสดงไว้ใน รูปที่ 3 กรอบที่แรงเงาในรูปเทียบได้กับแรงดันเปรียบเทียบ VR ( REFERENCE VOLTAGE ) ในรูปที่ 1 ตัวต้านทาน R1 และ R2 ในรูปทำหน้าที่เป็น FEEDBACK NETWORK เหมือนกับในรูปที่ 1 และคู่ของ TRANSISTOR Q' และ Q'' เป็น DALINGTON PAIR เปรียบเสมือน PASS ELEMENT Q1 ในรูปที่ 1 วงจรป้องกันจะแสดงอยู่ในเส้นหนัก โดยใช้ R3,R4 และ Q2 ในการจำกัดกระแส ( CURRENT LIMITTING ) , Q' และ Q'' ใช้ในการทำ SAFE-OPERATING-PROTECTION และ THERMAL OVERLOAD PROTECTION
ในท้องตลาด MONOLITHIC REGULATOR นี้มีให้ เลือกหลายประเภทตั้งแต่แรงดันคงที่ กับปรับค่าได้, แรง ดันบวก หรือแรงดันลบ, กระแสเอาต์พุตที่สูง ( > 1 A ), แรงดันเอาต์พุตสูง ( > 24 V ) และมีหนึ่งหรือสองเอาต์พุต (+/-)
Switching Regulators
จากหัวข้อที่กล่าวมาแล้วจะเห็นว่าเครื่องจ่ายไฟแบบ Pass Regulator มีข้อเสียบางอย่าง เช่น จะต้องใช้ไฟเลี้ยงสำหรับออปแอมป์ (Op-Amp) ต่างหาก ถ้าออปแอมป์นั้นใช้ไฟเลี้ยงที่ต่างกับแรงดันอินพุตมาก, ถ้าแรงดันอินพุตและแรงดันเอาต์พุตต่างกันมาก กำลังที่สูญเสียในวงจรก็จะยิ่งมาก จากข้อเสียต่างๆ เราจึงใช้หลักการใหม่ในการสร้างเครื่องจ่ายไฟ ซึ่งหลักการที่นำมาใช้จะนำมาสร้างเป็นสวิตชิ่งเรกูเลเตอร์ ( Switching Regulator )
Basic Switching Regulator Topology
วงจรสวิตชิ่งเรกูเลเตอร์แบบพื้นฐานแสดงไว้ในรูปที่ 4 โดยที่ Vin คือ แรงดันอินพุต(ยังไม่ผ่านการเรกูเลต), Vo คือ แรงดันเอาต์พุต(ผ่านการเรกู เลตแล้ว), RL เป็นโหลด
รูปที่ 4
ในวงจรแบ่งได้เป็นส่วนต่างๆ ดังนี้
Reference regulator ทำหน้าที่สร้าง Vref ซึ่งเป็นแรงดันอ้างอิงและเป็นไฟเลี้ยงให้กับ Error-amplifier และ Pulse-width modulator ซึ่งทั้ง Reference regulator, Error-amplifier, Pulse-width modulator และส่วนที่ทำหน้าที่สร้างแรงดันคลื่นสามเหลี่ยม สามารถผลิตรวมกันไว้ในไอซีตัวเดียวได้ ดังนั้นส่วนนี้จะเป็นส่วนที่ใช้กำลังต่ำจึงไม่มีผลกระทบกับ ประสิทธิภาพรวมของระบบ
Error-amplifier ทำหน้าที่เปรียบเทียบ Vref กับค่า แรงดันที่ได้จากการป้อน Vo กลับมาผ่าน R1, R2 แล้วขยายความแตกต่างแล้วส่งเป็นเอาต์พุต Vm ให้กับ Pulse-width modulator (PWM)
PWM ทำหน้าที่มอดูเลต Vm กับแรงดัน คลื่นสามเหลี่ยมที่มีคาบเท่ากับ T เพื่อสร้างเป็นแรงดัน VA ที่ เป็นคลื่นสี่เหลี่ยมมีคาบ T มี duty cycle แปรผันตรง กับ Vm
Power switch เป็นสวิตช์เดี่ยวแบบสองทาง (Single Pole - Double Throw, SPDT) ทำหน้าที่สวิตช์ระหว่าง Vin และกราวด์ การสวิตช์ควบคุมโดย VA ซึ่ง เราจะได้ VB เป็นแรงดันคลื่นสี่เหลี่ยมที่มีคาบ, มี duty cycle เท่ากับ VA และมีแอมพลิจู ดเป็น Vin
LC Filter ทำหน้าที่เป็น Low-pass filter โดยกำจัดองค์ประกอบที่มีความถี่สูงใน VB ไม่ให้ผ่านไปที่โหลด ดังนั้นจึงมีเฉพาะกระแสตรงเท่านั้นที่ผ่านไปได้ Vo จึงมีค่าคงที่ และเท่ากับค่าเฉลี่ยของ VB
การสร้าง Power switch นี้มีวิธี สร้างได้หลายแบบยกตัวอย่างเช่น
รูปที่ 5
วงจรในรูปที่ 5 ใช้ไดโอดและสวิตช์เดี่ยวทางเดียว (Single Pole-Single Throw, SPST) ที่ควบคุมโดย PWM เมื่อสวิตช์ปิดไดโอดจะ ไม่นำกระแส กระแสจึงไหลผ่านตัวเหนี่ยวนำ และได้ VB = Vin เมื่อ สวิตช์เปิดกระแสที่ผ่านตัวเหนี่ยวนำจะยังคงที่อยู่ ดังนั้นจะมีกระแสไหลจากกราวด์ผ่านไดโอดไปยังตัวเหนี่ยวนำและโหลด ถ้าไม่คิดความต่างศักย์ที่คร่อมไดโอด จะได้ VB=0 เราเรียกไดโอดที่ทำงานในลักษณะนี้ว่า Flyback diode
รูปที่ 6
สวิตช์เดี่ยวทางเดียวในรูปที่ 5 สามารถ แทนได้ด้วยทรานซิสเตอร์ Q1 ในรูปที่ 6 สำหรับในกรณีที่โหลดต้องการกระแสมาก เราจะต้องต่อทรานซิสเตอร์เป็นแบบดาร์ลิงตัน (Darlington pair) โดยใช้ Q2 เป็น ตัวช่วยในการดึงกระแสเบสของ Q1 ให้มากขึ้น
จากการที่เราใช้ทรานซิสเตอร์แบบ PNP แทนสวิตช์ และเราต้องการให้สวิตช์ปิดเมื่อ VA มีค่าสูงเราจึง ต้องใช้ Q3 ที่เป็นชนิด NPN ในการควบคุมสวิตช์ ให้เปิดปิดถูกต้อง เมื่อ VA เป็นบวก Q3 จะทำงานกระแสคอลเลกเตอร์ของ Q3 จะไหลผ่านตัวต้านทานแต่ละตัวทำให้ Q1 และ Q2 ทำงาน ซึ่งจะได้ VB เกือบเท่ากับ Vin เมื่อ VA เป็นลบหรือศูนย์ Q3 จะไม่ทำงานจึงไม่มีกระแสไปกระตุ้น Q1 และ Q2 ทำให้สวิตช์เปิด Flyback diode ก็จะทำหน้าที่เป็นทางผ่านให้กับกระแสที่ไหลจากก ราวด์ผ่านไปยังตัวเหนี่ยวนำ
การที่ LC Filter จะมีประสิทธิภาพ ในการกันองค์ประกอบที่มีความถี่สูง ค่าของ reactance ของ C จะ ต้องน้อยกว่าค่าของ reactance ของ L มากๆ ที่ความถี่มูลฐาน ดังนั้น T/(2PiC) << 2PiL/T หรือ Sqrt(LC) >> T/2Pi
ถ้าเราพิจารณาสมการของ Error-amplifier จะได้ว่า
Vref = R1 * Vo/(R1+R2)
หรือ Vo = Vref * (1 + R1/R2)
ซึ่งจะเห็นว่า Vo ไม่ขึ้นกับ Vin และกระแสโหลด แต่จากการที่ Vo เป็น ค่าเฉลี่ยของ VB ซึ่ง VB มีค่าสูงสุดเป็น Vin ดังนั้น Vo ที่ได้จะน้อยกว่า Vin เสมอ
ในด้านของประสิทธิภาพวงจรที่สร้างโดยหลักการนี้ถ้าใช้ Power switch ที่มีการสูญเสียต่ำ เช่น ทรานซิสเตอร์ที่มี VCE(sat) ต่ำและมีความเร็วในการ สวิตช์สูง และใช้ ตัวเหนี่ยวนำที่มีค่า Q (Quality factor) สูง หรือมีค่าความต้านทานภายในต่ำจะได้ประสิทธิภาพไม่ต่ำกว่า 90 เปอร์เซนต์
Additional Switching Regulator Topologies
จากวงจรในรูปที่ 4 แรงดันเอาต์พุ ตที่ได้จะน้อยกว่าแรงดันอินพุตและมีค่าเป็นบวกเสมอ เราจึงคิดหาทางแก้ไขข้อจำกัดอันนี้ โดยวงจรในรูปที่ 7 เป็นวงจรที่สร้างแรงดันเอาต์พุตที่เป็นบวกและมีค่ามากกว่า Vin
ในช่วงที่สวิตช์ปิด(สมมติว่าปิด เป็นเวลา T1) ไดโอดจะไม่นำกระแส ในช่วงนี้ตัวเก็บประจุจะคายประจุให้กับโหลด โดยเราจะต้องเลือกให้ C*RL >> T1 เพื่อให้ ค่า Vo เปลี่ยนแปลงน้อย ในช่วงนี้แรงดันคร่อมตัวเหนี่ยวนำ คือ Vin จะทำให้กระแส iL เพิ่มขึ้นจน ถึงช่วงที่สวิตช์เปิดตามสมการ
di = Vin * dt/L = Vin * T1/L
ในช่วงที่สวิตช์เปิด(สมมติว่าเปิด เป็นเวลา T2) กระแสที่ไหลในตัวเหนี่ยวนำไม่สามารถเปลี่ยนแปลงในทันที ดังนั้นกระแสที่ไหลในขณะสวิตช์เริ่มเปิดยังคงมีค่าคงเดิม มีผลทำให้ไดโอดนำกระแส กระแสจากตัวเหนี่ยวนำจึงไหลไปยังตัวเก็บประจุและโหลด ในช่วงเวลานี้กระแสของตัวเหนี่ยวนำจะลดลงเท่ากับ Vin * T1/L ทำให้แรงดันคร่อมตัวเหนี่ยวนำมีค่าเป็นลบ (Ldi/dt < 0)
ดังนั้น Vo = Vin - Ldi/dt
= Vin + L * (Vin * T1/L)/T2
= Vin * (1+T1/T2) > Vin
เมื่อวงจรนี้เข้าสู่ภาวะสมดุลย์ ค่าของ Vo จะมีค่ามากกว่า Vin คือมีค่าเท่ากับ Vin * (1+T1/T2) เมื่อสวิตช์ปิดค่าของ Vo จะลดลงเล็กน้อยขึ้นอยู่กับค่าของ C * RL ดังนั้นเราสามารถควบคุมค่าของ Vo โดยควบ คุม duty cycle ของ PWM
รูปที่ 7
วงจรในรูปที่ 8 เป็นวงจรที่ให้ค่า Vo เป็นลบ ซึ่งหลักการของวงจรคล้ายกับหลักการของวงจรในรูปที่ 7 คือ
ในช่วงที่สวิตช์ปิดเป็นเวลา T1 ไดโิดจะไม่นำกระแส ตัวเก็บประจุจะคายประจุให้กับโหลดและแรงดันคร่อมตัวเหนี่ยวนำ คือ Vin จะทำให้กระแสที่ไหลผ่านตัวเหนี่ยวนำมีค่า เพิ่มขึ้นเท่ากับ Vin * T1/L
ในช่วงที่สวิตช์เปิดเป็นเวลา T2 กระแส ที่ไหลในตัวเหนี่ยวนำไม่สามารถเปลี่ยนแปลงในทันที ดังนั้นไดโอดจะถูกบังคับให้นำกระแส กระแสของตัวเหนี่ยวนำ จะไหลไปยังตัวเก็บประจุและโหลดทางขั้วที่อยู่ด้านล่าง โดยค่าของกระแสนี้จะลดลงเท่ากับ Vin * T1/L ในช่วง เวลา T2
ดังนั้น Vo = Ldi/dt (ถ้าไม่คิด แรงดันคร่อมไดโอด)
= L * (- Vin * T1/L)/T2
= -Vin * T1/T2
ซึ่งจะเห็นว่าเราสามารถปรับขนาดของ Vo ได้โดยปรับ duty cycle ของการสวิตช์
รูปที่ 8
Transformer-Coupled Push-Pull DC-to-DC Converter
ในการสร้างเครื่องจ่ายไฟฟ้าของหัวข้อนี้จะใช้หลักการของ DC-to-DC Converter ซึ่ง Vo อาจจะมากกว่าหรือน้อยกว่า Vin และ Vo อาจจะเป็นบวกหรือลบก็ ได้ ดังวงจรที่แสดงไว้ในรูปที่ 9
รูปที่ 9
ในวงจรที่เป็นส่วนของพาวเวอร์สวิตช์ มีการใช้หม้อแปลงที่มีแท็ปกลางทั้งทางด้านปฐมภูมิและทุติยภูมิต่อแบบพุชพุ ลโดยมี Vin เป็นแหล่งกำเนิดกระแสตรงต่อไว้ที่แท็ปกลาง มี SW1 และ SW2 ควบคุมแรงดันปฐมภูมิ จำนวนรอบของขดลวดในด้านทุติยภูมิมีค่าเป็น n เท่า ของจำนวนรอบของขดลวดในด้านปฐมภูมิซึ่งจะทำให้ Vp1 = Vp2, Vs1 = Vs2 และ Vs1 = n *Vp1, Vs2 = n * Vp2 ถ้า n>1 จะได้ Vo > Vin แต่ถ้า n<=1 จะได้ Vo<=Vin
ไดโอด D1 และ D2 ทำหน้าที่เป็น Full wave rectifier เพื่อส่งไปให้ L และ C ซึ่งต่อกันเป็น Low-pass filter ทำหน้าที่กรองให้กระแสตรงเท่านั้นผ่านไปได้ทำให้ Vo มีค่าคงที่และเท่ากับค่าเฉลี่ยของ VB
สวิตช์ SW1 และ SW2 ควบคุมโดยสัญญาณ VA1 และ VA2 ซึ่งได้จากการมอดูเลต VA กับสัญญาณคลื่นสามเหลี่ยม ที่คาบเท่ากันแต่เฟสต่างกัน 180 องศา VA1 และ VA2 มีคาบเท่ากับสองเท่าของ VA ดัง นั้นสวิตช์ SW1 และ SW2 จะปิดเปิดเป็นระยะเวลาที่เท่ากัน แต่สลับกันคนละรอบของ VA ดังในรูปที่ 10 โดย SW1 และ SW2 จะไม่ปิดพร้อมกัน
จากวงจรในรูปที่ 9 จะได้ค่าของ Vp1 และ Vp2 (แสดงรูปของสัญญาณไว้ ในรูปที่ 10) ดังนี้
Vp1 = Vp2 = -Vin ถ้า SW1 ปิด และ SW2 เปิด, +Vin ถ้า SW1 เปิด และ SW2 ปิด, 0 ถ้า SW1 เปิด และ SW2 เปิด
รูปที่ 10
Vs1 และ Vs2 จะมีรูปร่างของสัญญาณ เหมือนกับ Vp1 และ Vp2 แต่มีแอมพลิจูดเป็น n เท่าและมีค่าเท่ากัน ในช่วงที่ Vs1 มีค่าเป็นบวก ไดโอด D1 จะนำกระแส แต่ได โอด D2 จะไม่นำกระแส และได้ VB = n * Vin สำหรับ ในช่วงที่ Vs1 มีค่าเป็นลบ ไดโอด D1 จะไม่นำ กระแส แต่ไดโอด D2 จะนำกระแส และได้ VB = n * Vin เหมือนช่วงที่ Vs1 เป็นบวก ในช่วงที่ Vs1=0 และ Vs2=0 ไดโอดทั้งสองตัวจะเสมือนว่าขั้วอาโนดต่อกับกราวด์ ไดโอดทั้งสองตัวจึงทำหน้าที่เป็น Flyback diode ในช่วงนี้ VB=0
จากการที่ L และ C ทำหน้าที่เป็น Low-pass filter เราจึงได้ว่า
Vo = ค่าเฉลี่ยของ VB
= n * Vin * Duty cycle ของ VA
จะสังเกตว่า ค่าของ Vo อาจจะมีขนาด มากกว่าหรือน้อยกว่า Vin ก็ได้ขึ้นอยู่กับค่าของ n และ Duty cycle ของ VA และถ้าเรากลับขั้วของ ไดโอดทั้งสองตัวเราก็จะได้ Vo ที่เป็นลบ
ในหัวข้อถัดไปเราจะกล่างถึงการสร้างสัญญาณที่นำมาใช้ควบคุม การสวิตช์ซึ่งจะต้องสร้าง VA1 และ VA2 ที่มี Duty cycle เท่ากัน มีคาบเท่ากัน และ ต้องมีเฟสต่างกัน 180 องศา
Generating the Switching Waveforms
ในการสร้างสัญญาณที่ใช้ในการควบคุมสวิตช์ SW1 และ SW2 ในรูปที่ 9 จะต้องมีวงจรที่สร้างสัญญาณที่มีคาบเท่ากัน แต่เฟสต่างกัน 180 องศา วิธีการหนึ่งที่ใช้ได้ คือ ใช้วงจรที่มีลักษณะดังในรูปที่ 11
รูปที่ 11
ในวงจรรูปที่ 11 มีออสซิลเลเตอร์ทำหน้าที่สร้างสัญญาณนาฬิกา (Vosc) ให้ กับฟลิปฟลอป โดยที่สัญญาณนาฬิกานี้จะต้องมีคาบเท่ากับคาบของ VA ดัง ในรูปที่ 12 ฟลิปฟลอปในวงจรทำหน้าที่เป็นวงจรหารสอง ได้เอาต์พุตเป็น VQ และ VQ' ดังในรูปที่ 12 ซึ่งจะเห็นว่า VQ และ VQ' มีเฟสต่างกัน 180 องศา มีคาบเท่ากันและเท่ากับสองเท่าของ VA แล้ว ขณะนี้เรามี Vosc, VA, VQ, VQ' ก็ต้องคิดต่อไปว่าจะนำสํญญาณเหล่านี้มาใช้ควบคุม SW1 และ SW2 อย่างไร
จากที่เรารู้ว่า VA1 และ VA2 จะต้องควบคุม duty cycle ได้ เราก็มองหาว่าในบรรดาสัญญาณที่เรามี สัญญาณใดบ้างที่ควบคุม duty cycle ได้ จะเห็นว่าในที่นี้เรามีแต่ VA เท่านั้นที่ควบคุม duty cycle ได้ ซึ่งในรูปที่ 12 VA มี duty cycle เท่ากับ T1/(T1+T2) เราจึงนำ VA มาผสมกับ VQ และนำ VA มาผสมกับ VQ' โดยนำมาเป็นอินพุตของ AND gate ดัง ในรูปที่ 11 เราจึงได้ VA1 และ VA2 ดังในรูปที่ 12
คราวนี้เราก็มาถึงส่วนของการออกแบบสวิตช์ เราต้องคำนึงว่าเราต้องการเครื่องจ่ายไฟฟ้าที่สามารถจ่ายกำลังได้มาก ดังนั้นสวิตช์ของเราจึงต้องเป็นลักษณะของพาวเวอร์สวิตช์ โดยใช้พาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ในส่วนที่ต่อกับเอาต์พุตของสวิตช์ และใช้ทรานซิสเตอร์ธรรมดามาจ่ายกระแสเบสให้กับพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ โดยต่อกันแบบดาร์ลิงตัน เพื่อเพิ่มอัตราขยาย ในรูปที่ 11 Q1 และ Q2 เป็นพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ซึ่งมี Q3 และ Q4 ทำหน้าที่จ่ายกระแสเบสให้ ที่สำคัญทุกส่วนของรูปที่ 11 สามารถผลิตเป็นไอซีภายในตัวเดียวได้
รูปที่ 12
